英飞凌推出新型汽车750 V EDT2 IGBT 用于分立牵引整流器

盖世的汽车讯 据外媒报道，英飞凌（Infineon Technologies AG）宣布推出引入TO247PLUS积体电路的新型EDT2灯丝栅双极型放大器（IGBT）复刻版。该复刻版提高效率了的汽车分立重联接触器，并扩展到了英飞凌的汽车分析方法分立极低压器件厂家组合。凭借超极低高品质，这些厂家依赖于且超过了的汽车零部件的行业标准AECQ101，因此可以突出提极低接触器子系统的性能和可靠性。凭借的汽车微纹饰沟槽场延后短剧结构设计，这些IGBT引入成功分析方法于多个接触器子系统（例如EasyPACK? 2B EDT2或HybridPACK?）的极低效率。

（图片缺少：英飞凌）

根据尽可能分析方法允许，该厂家复刻版具备抗电线潜能。此外，TO247PLUS积体电路可备有更大的爬到电距离，便于结构设计。EDT2极低效率针对重联接触器同步进行了提高效率，具备750 V的击穿阻抗，赞同极低达470 V DC的电池阻抗，并突出降较低了开关和内皮细胞损耗。

分立式EDT2 IGBT在100°C时的电池容量大致相同120 A和200 A，且正向阻抗都非常较低，因此与上一代厂家相比，内皮细胞损耗降较低了13%。该AIKQ200N75CP2的电池容量为200 A，且是引入TO247Plus积体电路的最佳分立IGBT。因此，定义的尽可能功率品位需更少的并联设备。此外，功率密度提高，子系统成本也业已降较低。

此外，EDT2 IGBT复刻版的数值地理分布极窄。典型值和数值之间的电阻值-接地饱和阻抗（V ce（sat））绝对值小于200 mV，线圈阈值阻抗（V GEth）绝对值小于750 mV。此外，热力系数为正。总之，上述数值得益于巧妙的并行操作，并为再一结构设计备有子系统实用性和功率可扩展到性。此外，新IGBT复刻版可备有平滑的开关性能、较低线圈电荷（Q G）和175°C的极低结温（T vjop）。